特許

J-GLOBAL ID：200903027075453613

酸化処理装置及びそのクリーニング方法

発明者： 末村 麻美 ,  青木 公也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401828
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250818
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 シリコン層とタングステンとを有する被処理体のシリコン層を減圧雰囲気中で選択的に酸化処理可能な酸化処理装置を効率良くクリーニングする。【解決手段】 シリコン層とタングステン層との積層構造を有する電極のシリコン層の側壁を選択的に酸化する選択酸化装置の反応管内及びダミーウエハに付着した金属をクリーニングするため、クリーニングガス導入ポート43より反応管11内にHCl等のハロゲン系のガスと酸素を供給して、反応管11の内面、ウエハボート31及びダミーウエハに付着したタングステン及びタングステン化合物を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン層と金属層とを有する被処理体のシリコン層を選択的に酸化処理可能な酸化処理装置であって、被処理体を収納可能な反応管と、前記反応管内を加熱する加熱手段と、前記反応管内を所定の減圧雰囲気に制御可能な排気手段と、前記反応管内に、酸化処理を施すための処理ガスを供給可能な酸化処理ガス供給手段と、前記酸化処理の際、被処理体中の金属層より脱離し、前記反応管内に付着した金属または金属化合物を除去するためのクリーニングガスを前記反応管内に供給可能なクリーニングガス供給手段と、を備えた酸化処理装置。