特許
J-GLOBAL ID：200903027075560576
半導体ウエハ熱処理用部材とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053515
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254859
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 高純度で高温下における半導体ウエハの汚染の問題がなく、かつ耐熱性に優れ、半導体ウエハの大サイズ化、多数同時処理に適応させた半導体ウエハ熱処理用部材およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 OH濃度が20ppm 以下、Cl濃度が20ppm 以下、1200°Cにおける粘度が1.o ×1013ポイズ以上の合成石英ガラスからなることを特徴とする半導体ウエハ熱処理用部材および、珪素塩化物を酸水素火炎中で加水分解反応させて平均粒子径0.4 μm以下のガラス粒子からなる比重0.4 〜0.6 g/cm3 の多孔質ガラス体を形成する工程と、前記多孔質ガラス体を水素雰囲気で1000〜1500°Cで加熱処理する工程とを具備して成る半導体ウエハ熱処理用部材の製造方法。
請求項（抜粋）：
OH濃度が20ppm 以下、Cl濃度が20ppm 以下、1200°Cにおける粘度が1.0 ×1013ポイズ以上の合成石英ガラスからなることを特徴とする半導体ウエハ熱処理用部材。
IPC (4件)：
C03B 20/00
, H01L 21/22
, H01L 21/324
, H01L 21/68
