半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢葺知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-281553
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】鏡面研磨で平坦度の良いウェーハを容易に得るウェーハ鏡面研磨方法と装置を提供する。【構成】接着円盤2が加圧円盤公転盤5と同じ公転運動をするガイド円盤3に複数枚装着されており、研磨定盤8を研磨定盤回転軸9により回転駆動し、加圧円盤4により接着円盤2を押圧しながら自転運動をさせ、またガイド円盤3を介して公転運動を接着円盤2に与えながらポリッシングパッド7上に研磨剤を供給することによりウェーハ1の表面を鏡面研磨する装置であって、ウェーハを接着する円盤2をドーナツ形状にして接着面積を減少させ、円盤2の形状および接着部への異物14の噛み込みの影響を減少し、接着円盤2の中空内部に制御された流体あるいは気体を媒体とする研磨圧力を負荷し、ウェーハ1の凸状変形量を調整してポリッシングパッド7の粘弾性特性による縁ダレ効果の影響を減少し、ウェーハ1の平坦度を向上する手段を有している。

請求項（抜粋）：

表面にポリッシングパッド(7)を接着した研磨定盤(8)を、その回転軸(9)のまわりに駆動回転させ、前記ポリッシングパッド(7)と対向する面にウェーハ(1)を接着した接着円盤(2)の該ウェーハ(1)を加圧円盤(4)により前記ポリッシングパッド(7)に押圧しながら研磨剤を供給することによって、前記ウェーハを研磨する方法において、前記ウェーハ(1)を接着する円盤としてドーナツ形状をした接着円盤(2)を用い、該接着円盤の中空内部に流体あるいは気体を媒体として研磨圧力を負荷し、ウェーハ加工面の圧力分布をほぼ均一にしたことを特徴とするウェーハ研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/04 B , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 E

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