特許
J-GLOBAL ID：200903027077246275

半導体不揮発性メモリ装置

発明者：
西原 利幸

西原 利幸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204159
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体不揮発性メモリ装置において、その構成の複雑化したがって製造工程数の増加を来すことなく、上述したビット線B/L間の干渉雑音の問題を解消でき、更にソース線の寄生抵抗の低減化もはかることができて、読み出し速度の改善をはかることができるようにする。【構成】 メモリトランジスタTrが形成された半導体基板上にビット線B/Lとソース線S/Lとを構成する各導電層11および12が、ワード線W/Lと交叉する方向例えば垂直方向に交互に並走するように配置された構成とする。
請求項（抜粋）：
メモリトランジスタが形成された半導体基板上にそれぞれ積層して形成された導電層によるビット線とソース線とが、ワード線と交叉する方向に、交互に並走するように配置されてなることを特徴とする半導体不揮発性メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-141675
  • 特開平2-028381
  • 特開平3-185860
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