特許
J-GLOBAL ID：200903027081927473
多層基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-177010
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021635
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 配線抵抗値の低減を図ることができる多層基板を提供することにある。【構成】 ハイブリッドICは、5つのアルミナによる絶縁層1a,1b,1c,1d,1eを重ねて多層基板2を形成している。多層基板2の絶縁層1bには層内配線用貫通溝3aが形成され、この層内配線用貫通溝3aに層内配線材料4が充填されている。同様に、多層基板2の絶縁層1cには層内配線用貫通溝3bが形成され、この層内配線用貫通溝3bに層内配線材料4が充填されている。この層内配線用貫通溝3a,3bは帯状となっている。
請求項（抜粋）：
基板の絶縁層に、層内での平面方向への配線を行わせるための層内配線用空間部を形成し、この層内配線用空間部に配線材料を充填したことを特徴とする多層基板。
FI (2件)：
H01L 23/12 H
, H01L 23/12 N
