特許

J-GLOBAL ID：200903027089258937

炭化ケイ素およびシリコンの製造方法

発明者： 田村 元紀
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 岸田 正行 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034116
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 投入エネルギーが少なく効率的で,資源の有効利用ができる炭化ケイ素およびシリコンの製造法を提供する。【解決手段】 スラグを硫酸と反応させて石膏を生成させ,析出した石膏を固液分離し,分離された液に有機化合物を溶解し,次いで酸濃度を高めて非晶質ケイ素化合物を析出させ,これを固液分離し,得られた非晶質ケイ素化合物を不活性雰囲気下で加熱することを特徴とする炭化ケイ素およびシリコンの製造方法である。

請求項（抜粋）：

スラグを硫酸と反応させて石膏を生成させ,析出した石膏を固液分離し,分離された液に有機化合物を溶解し,次いで酸濃度を高めて非晶質ケイ素化合物を析出させ,これを固液分離し,得られた非晶質ケイ素化合物を不活性雰囲気下で加熱することを特徴とする炭化ケイ素およびシリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/36 ,  C01B 33/021

FI (2件)：

C01B 31/36 A ,  C01B 33/021

Fターム (7件)：

4G046MA14 ,  4G046MC04 ,  4G072AA01 ,  4G072HH38 ,  4G072JJ15 ,  4G072MM36 ,  4G072UU01