特許
J-GLOBAL ID：200903027090476778
縦形気相エピタキシャル成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069529
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277885
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：
【要約】【目的】ウェハ面内の温度を均一化することによって、キャリア濃度のウェハ面内均一性を大幅に向上させる。【構成】縦形気相エピタキシャル成長装置において、半導体基板2を載置するサセプタ10に加熱手段によってサセプタ10の径方向に生じる温度差とは逆向きの温度差を生じさせる熱放散部13を設ける。熱放散部13はサセプタ10内部に空洞12を形成することで実現する。サセプタ10内部に空洞12を形成するには、サセプタ10上部に円形の凹所15を設ける。円形の凹所15は、中央が平でサセプタ表面14よりも浅く、この中央から径方向外方に向って深くなるように形成する。この凹所の中央の平な部分16に凹所15の径と同径の円形のグラファイト板9を載せて凹所15を覆う。すると、グラファイト板9の裏面側に中央から径方向外方に向かってテーパ状に広がる空洞12が形成される。
請求項（抜粋）：
加熱手段により加熱した反応管内のサセプタ上に水平に半導体基板を載置し、該半導体基板の表面に原料ガスおよびドーパントガスを供給し、半導体基板表面に単結晶を成長させる縦形気相エピタキシャル成長装置において、上記半導体基板を載置するサセプタに、上記加熱手段によってサセプタの径方向に生じる温度差とは逆向きの温度差を生じさせる熱放散部を設けたことを特徴とする縦型気相エピタキシャル成長装置。
IPC (3件)：
C30B 25/12
, C23C 16/46
, H01L 21/205
