特許

J-GLOBAL ID：200903027102742061

半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法

発明者： 尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189566
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056018
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 単一の半導体発光素子1から青、緑、赤色の光が発せられるようにして、集合光として白色の光を得るための調整作業の簡易化を図り、かつ不良品の発生に伴うコスト面での不利益を低減させる。【構成】 サファイア基板2の表面上に、N型半導体層3、発光層4、およびP型半導体層5から構成される積層部6を形成するとともに、少なくとも上記基板2の表面と直交する方向に向かって上記発光層4から光が発せられるように構成された半導体発光素子1において、上記積層部6を、基板2の表面と平行な面内において複数の領域A1、A2、A3に区分し、この複数の領域の各発光層から発せられる光の波長が各領域相互間で異なるように、その領域の別異に応じて少なくとも一層について異種の結晶層を成長させる。

請求項（抜粋）：

基板の表面上に、N型半導体層、発光層、およびP型半導体層から構成される積層部を形成するとともに、少なくとも上記基板の表面と直交する方向に向かって上記発光層から光が発せられるように構成された半導体発光素子において、上記積層部を、基板の表面と平行な面内において複数の領域に区分し、この複数の領域の各発光層から発せられる光の波長が各領域相互間で異なるように、その領域の別異に応じて少なくとも一層について異種の結晶層を成長させたことを特徴とする、半導体発光素子。