半導体記憶装置の不良品選別方法および不良品選別装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310008
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123498
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】将来的に不良となる可能性が高い半導体記憶装置を不良品として選別可能とし、また不良品選別試験が歩留まりに与える影響をコントロール可能とする。【解決手段】半導体記憶装置4の不良品選別試験をする際に、予め選別基準として第1の設定値C1および第2の設定値C2を設定し、半導体記憶装置の複数の記憶セルグループのそれぞれに対して順に厳しくなる第1〜第7の選別条件で1回目〜7回目の選別試験を行い、1回目の選別試験で複数の記憶セルグループのいずれかが不合格であるとき、あるいは2回目〜7回目の選別試験のうち、記憶セルグループの不合格数が第1の設定値C1以下となる選別試験の回数が第2の設定値C2以上となるとき、この半導体記憶装置を不良品として選別する。

請求項（抜粋）：

複数の記憶セルを有する半導体記憶装置の不良品選別方法であって、上記半導体記憶装置の複数の記憶セルグループのそれぞれに対して第1の選別条件で1回目の選別試験を行うステップと、上記1回目の選別試験で上記複数の記憶セルグループのいずれかが不合格であるとき、上記半導体記憶装置を不良品として選別するステップと、上記1回目の選別試験で上記複数の記憶セルグループの全てが合格のとき、上記複数の記憶セルグループのそれぞれに対して、順に厳しくなる第2〜第nの選別条件(nは2以上の整数)で2回目〜n回目の選別試験を行うステップと、上記2回目〜n回目の選別試験のうち、記憶セルグループの不合格数が第1の設定値以下となる選別試験の回数が第2の設定値以上となるとき、上記半導体記憶装置を不良品として選別するステップとを備えることを特徴とする半導体記憶装置の不良品選別方法。

IPC (3件)：

G11C 29/00 651 , B07C 5/344 , G01R 31/28

FI (3件)：

G11C 29/00 651 Z , B07C 5/344 , G01R 31/28 B

Fターム (12件)：

2G132AA08 , 2G132AB01 , 2G132AL00 , 2G132AL12 , 3F079AD06 , 3F079CA37 , 3F079CA41 , 3F079CB21 , 3F079CC13 , 5L106DD24 , 5L106DD25 , 5L106GG07

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