特許

J-GLOBAL ID：200903027112552570

スパッタ成膜方法

発明者： 山上 敦士 ,  高木 智 ,  岡村 信行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124233
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330305
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、良い膜質の堆積膜を形成し、高品質な化合物薄膜を形成するとともに反応性スパッタの反応性を向上したスパッタ成膜方法を提供することにある。【構成】 本発明のスパッタ成膜方法は、対向ターゲット式スパッタ成膜方法において、ターゲットにスパッタ電力として30〜300MHzの高周波電力及び直流電力を供給することを特徴とする。また、上記方法においてスパッタガスに酸素、窒素、炭化水素などの反応性ガスを混入して反応性スパッタにより基板上に化合物薄膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

対面させたターゲットの側方に基板を配置し、ターゲット間に磁界をその対向方向に印加してスパッタし、基板上に薄膜を形成する対向ターゲット式スパッタ成膜方法において、ターゲットにスパッタ電力として30〜300MHzの高周波電力及び直流電力を供給することを特徴とするスパッタ成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/44

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-157511
  
• 特開昭63-140077