特許

J-GLOBAL ID：200903027113486598

基板処理装置

発明者： 坂井 健志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202098
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025914
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 減圧CVD装置の処理室全体を均一にクリーニングする。【解決手段】 リモートプラズマ方式のIn-situチャンバクリーニング法が実施される減圧CVD装置において、処理ガスのガス導入口14にはクリーニングガス供給装置23を供給通路22と供給管21を介して接続し、他方、チャンバ2の底壁の支持軸9の周りには複数個の吹出口25を有した下側導入口24を同心円に形成し、下側導入口24は連絡通路26で供給通路22に接続する。【効果】 クリーニングガス33を上側のガス導入口14の他に下側導入口24からも処理室3に導入することで、クリーニングガス33を処理室3全体に拡散できるため、処理室3全体を均等にクリーニングできる。その結果、クリーニング時間やガス消費量、COOを低減でき、部品劣化程度の相違を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室の内部にこの処理室の外部で発生されたクリーニングガスを導入して、この処理室をクリーニングする基板処理装置において、前記クリーニングガスが前記処理室に互いに離れた一対の導入口からそれぞれ導入されることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 N

Fターム (25件)：

4K030AA04 ,  4K030DA03 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030EA06 ,  4K030KA08 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BD04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD09 ,  5F045AE25 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18 ,  5F045EM06