特許

J-GLOBAL ID：200903027119585822

半導体レーザ

発明者： 蔵本 恭介 ,  武本 彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216288
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068221
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 利得領域側端面の遠視野像の乱れを抑えることができる半導体レーザを提供することを課題とする。【解決手段】 一定の幅を有する利得領域3aと、該利得領域から離れるにつれてその幅が順次狭くなっているスポットサイズ変換領域3bとからなる,所定の方向にストライプ状に伸びる一定の厚さの活性層3と、上クラッド層4の活性層3の利得領域に沿った位置に設けられた、活性層3の伸びる方向に向かって格子配列された回折格子13と、スポットサイズ変換領域3b側の端面上に設けられた反射防止膜14とを備えるようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に形成された第1導電型下クラッド層と、該下クラッド層上に配置された、一定の幅を有する利得領域と、該利得領域から離れるにつれてその幅が順次狭くなっているスポットサイズ変換領域とからなる,所定の方向にストライプ状に伸びる一定の厚さの活性層と、該活性層の両側面に接するよう設けられた電流狭搾構造部と、上記活性層上に配置された第2導電型上クラッド層と、該上クラッド層上に配置された第2導電型コンタクト層と、上記下クラッド層または上クラッド層のいずれか一方の、上記活性層の利得領域の全域に沿った位置に設けられた、活性層の伸びる方向に向かって格子配列された回折格子と、上記活性層の伸びる方向に対して垂直に設けられた一対の端面と、上記スポットサイズ変換領域側の上記端面上に設けられた反射防止膜とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。