特許

J-GLOBAL ID：200903027126847760

半導体光検出器

発明者： 加藤 和利
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147331
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018089
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 高速応答可能な半導体光検出器を実現する。【構成】 n型InGaAsP層(バンドギャップエネルギー0.9eV)102と、p型InGaAsP層(0.9eV)105,p型InP層(1.3eV)106との間に、低キャリア濃度InGaAs光吸収層(0.7eV)103及び低キャリア濃度層(1.3eV,0.9eV)104を備える。光吸収層103は、n型InGaAsP層102に接し、n型InGaAsP層102,p型InGaAsP層105,p型InP層106よりもバンドギャップエネルギーが小さい。低キャリア濃度層104はp型InGaAsP層105に接し、光吸収層103よりもバンドギャップエネルギーが大きい。光吸収層103と低キャリア濃度層104の界面において、低速なホールの高周波成分は失なわれ、高速な電子の信号成分のみが取り出され、高速応答になる。

請求項（抜粋）：

p型半導体とn型半導体との間に低キャリア濃度半導体を配置したpin型光検出器において、該低キャリア濃度半導体が、上記p型半導体およびn型半導体のいずれのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する第1の半導体と、第1の半導体のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第2の半導体との二つの領域からなり、かつ第1の半導体がn型半導体と接する側に、また第2の半導体がp型半導体と接する側に配置されていることを特徴とする半導体光検出器。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232358   出願人：日本鉱業株式会社
• 特開平4-241472
  
• 特開平2-194655