特許
J-GLOBAL ID：200903027131177900
プレーナ型半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146845
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331071
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】プレーナ型半導体素子において、主電極の周辺部の電界を緩和し、高耐圧化が図れ、しかも製造の容易な構造とする。【解決手段】pアノード領域2と半導体基板1との間のpn接合を覆い、未拡散領域上に延びる第一絶縁膜4上にアノード電極6を直接形成することにより、表面の電界を緩和し、高耐圧化を図る。pアノード領域2上から第一絶縁膜4の端を覆い第一絶縁膜4上まで延びる第二絶縁膜リング5aを設けてもよい。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板の一主表面から、第二導電型領域が前記主表面の周縁部に第一導電型の未拡散領域を残すように選択的に拡散形成され、その第二導電型領域に金属膜の第一主電極が、残りの主表面のいずれかに第二主電極がそれぞれ接触し、両主電極への電圧印加時に、第一主電極が接触する第二導電型領域と第一導電型半導体基板との間の接合から空乏層が、前記第一導電型の未拡散領域の周縁部に向かって広がるように構成されたプレーナ型半導体素子において、第二導電型領域と第一導電型半導体基板との間の接合の表面露出部を覆い第一導電型の未拡散領域の周縁部に向かって延びる第一絶縁膜と、第一絶縁膜上に端を持ち第一導電型の未拡散領域の周縁部に向かって延びる第二絶縁膜とを有し、第一導電型の未拡散領域の上方の少なくとも一部において、第一主電極が第一絶縁膜上に密接して形成されてなることを特徴とするプレーナ型半導体素子。
引用特許：
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