特許

J-GLOBAL ID：200903027131666382

超臨界乾燥方法および装置

発明者： 生津 英夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358909
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176837
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置形成における微細パターンを形成するときに用いる超臨界乾燥におけるパターン倒れを、従来より減少すること。【解決手段】 基板101上に形成された所定のパターン101aを有するパターン層をアルコールに晒す第1の工程と、パターン層にアルコールの液体が付着している状態でパターン層を大気雰囲気では気体である物体の液体に晒す第2の工程と、上記の物質が液体の状態を保持する条件下でこの物質の液体を冷却してから、パターン層に付着しているアルコールの液体を上記の物質の液体に溶解させてパターン層に上記の物質の液体が付着している状態とする第3の工程と、パター層に付着している上記の物質を超臨界状態とする第4の工程と、パターン層に付着している超臨界状態の物質を気化させる第5の工程とを備えた。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された所定のパターンを有するパターン層をアルコールに晒す第1の工程と、この第1の工程の後、前記パターン層に前記アルコールの液体が付着している状態で前記パターン層を大気雰囲気では気体である物質の液体に晒す第2の工程と、この第2の工程の後、前記物質が液体の状態を保持する条件下でこの物質の液体を冷却してから、前記パターン層に付着しているアルコールの液体を前記物質の液体に溶解させて前記パターン層に前記物質の液体が付着している状態とする第3の工程と、この第3の工程の後、前記パターン層に付着している物質を超臨界状態とする第4の工程と、この第4の工程の後、前記パターン層に付着している超臨界状態の物質を気化させる第5の工程とを少なくとも備えたことを特徴とする超臨界乾燥方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 651 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  F26B 9/06 ,  F26B 21/14

FI (5件)：

H01L 21/304 651 Z ,  B08B 3/08 A ,  B08B 3/10 Z ,  F26B 9/06 A ,  F26B 21/14

Fターム (21件)：

3B201AA03 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB90 ,  3B201BB92 ,  3B201BB95 ,  3B201CC01 ,  3B201CC11 ,  3B201CD11 ,  3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AC21 ,  3L113AC28 ,  3L113AC45 ,  3L113AC46 ,  3L113AC63 ,  3L113AC67 ,  3L113BA34 ,  3L113DA01 ,  3L113DA10 ,  3L113DA24