特許
J-GLOBAL ID：200903027134441810
プローブ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-066834
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、プローブ針の比抵抗を下げて安定した測定条件を設定できるプローブ装置を得ることにある。【構成】 プローブ装置10は、半導体素子の被接触部にプローブ針20を圧接して電気的接続を行う。このプローブ針20は、金(Au)および銅(Cu)を、金(Au)74〜76重量%、銅(Cu)24〜26重量%の割合で含む合金、換言すれば原子数比においてほぼAu:Cu=1:1の割合で含む合金を用いる。さらに、この合金を350 °Cから徐々に冷却したものをプローブ針20として用いる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の被接触部に圧接して電気的接続を行うプローブ針を備えたプローブ装置において、前記プローブ針は、金(Au)を74〜76重量%、銅(Cu)を24〜26重量%の割合で含む合金からなり、この合金は加熱後に徐冷されることで規則格子が構成されていることを特徴とするプローブ装置。
IPC (2件)：
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