特許
J-GLOBAL ID：200903027137777348
半導体ウエハ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191163
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045580
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】この発明は、自然酸化膜の成長を抑制することにより、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く除去する。【構成】HF水溶液によって半導体ウエハ28の表面を洗浄することにより、前記半導体ウエハ28の表面の酸化膜を除去する。次に、前記HF、HCl、H2 O2及び純水の混合液によって前記半導体ウエハ28の表面を処理する。次に、前記HCl、H2 O2 及び純水の混合液によって前記半導体ウエハ28の表面を処理することにより、前記半導体ウエハ28の表面に付着しているCu等の金属不純物を除去している。従って、半導体ウエハの表面における自然酸化膜の成長を抑制することができ、半導体ウエハの表面の不純物を効率良く除去することができる。
請求項（抜粋）：
HF水溶液によって半導体ウエハの表面を処理することにより、前記半導体ウエハの表面の酸化膜を除去する第1の工程と、前記HF水溶液、HCl水溶液及び酸化性水溶液の混合液によって前記半導体ウエハの表面を処理する前記第1の工程と連続した第2の工程と、前記HCl水溶液及び前記酸化性水溶液の混合液によって前記半導体ウエハの表面を処理する前記第2の工程と連続した第3の工程と、を具備することを特徴とする半導体ウエハ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/308
