拡散層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229087
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078548
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、セルトランジスタのショートチャネルの発生や素子分離能力の低下を防止しかつバンド間トンネル電流IBBも抑制できる拡散層の形成方法を提供する。【構成】第1の導電型の半導体基板上にF-Nトンネル効果を有する絶縁膜を形成し、絶縁膜の上にゲートを形成し、ゲートのエッジに拡散速度の遅い第2の導電型の第1の不純物を高濃度で導入し、ゲートのエッジまでの距離を離間させるためにゲートの側面に絶縁物スペーサを形成し、第2の導電型の第1の不純物よりも拡散速度の速い第2の導電型の第2の不純物を低濃度で含む固相拡散源により絶縁膜スペーサの外側に固相拡散源スペーサを形成し、第2の導電型の第1の不純物より拡散速度の速い第2の導電型の第2の不純物がゲートの下のより内側に拡散するように熱処理する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板上にF-Nトンネル効果を有する絶縁膜を形成すること、前記絶縁膜の上にゲートを形成すること、前記ゲートのエッジに、拡散速度の遅い第2の導電型の第1の不純物を高濃度で導入すること、前記ゲートの前記エッジまでの距離を離間させるために、前記ゲートの側面に絶縁物スペーサを形成すること、前記拡散速度の遅い前記第2の導電型の第1の不純物よりも拡散速度の速い第2の導電型の第2の不純物を低濃度で含む固相拡散源により、前記絶縁膜スペーサの外側に固相拡散源スペーサを形成すること、及び前記拡散速度の遅い前記第2の導電型の第1の不純物より前記拡散速度の速い前記第2の導電型の第2の不純物が前記ゲートの下のより内側に拡散するように、熱処理すること、の各工程を具備したことを特徴とする拡散層の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/04 C

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