特許

J-GLOBAL ID：200903027139568797

化合物半導体装置

発明者： 賤機 弘憲 ,  柏崎 綾子
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210107
公開番号（公開出願番号）：特開平9-040929
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、(A)(a )エポキシ樹脂、(b )次の一般式(1)又は(2)で示されるスルホニウム塩からなる変性樹脂、(B)絶縁性粉末および(C)溶剤、モノマー又はこれらの混合物を必須成分とする絶縁性ペーストを用いて、化合物半導体チップとリードフレームとを接着固定してなる化合物半導体装置である。【効果】 本発明の化合物半導体装置は、接着強度、耐湿性に優れ、低温硬化、高速硬化が可能である絶縁性ペーストを用いたことによって、アルミニウム電極の腐食による断線不良等がなく信頼性の高いものである。また、低温硬化、高速硬化が可能であるため、アッセンブリ工程の短縮化および省エネルギー化に対応したものである。

請求項（抜粋）：

(A)(a )エポキシ樹脂および(b )次の一般式(1)又は(2)で示されるスルホニウム塩【化1】からなる変性樹脂、(B)絶縁性粉末並びに(C)溶剤、モノマー又はこれらの混合物を必須成分とする絶縁性ペーストを用いて、化合物半導体チップとリードフレームとを接着固定してなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

C09J163/00 JFL ,  C08G 59/68 NKL ,  H01L 21/52

FI (3件)：

C09J163/00 JFL ,  C08G 59/68 NKL ,  H01L 21/52 E