特許
J-GLOBAL ID：200903027139827512
電源装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315049
公開番号（公開出願番号）：特開平10-164837
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 2次側整流にMOS-FETを用いて損失を大幅に減少させる。【解決手段】 AC入力を整流したDC100の+端がスイッチングトランジスタ1、2のコレクタ・エミッタ間を通じて-端に接続され、中点が過飽和リアクタトランス3のコイル3A、共振コンデンサ4を通じて電圧変換トランス5の1次側コイル5Aの一端に接続される。また電圧変換トランス5の2次側コイル5Bの一端及び他端が、それぞれNチャンネルのMOS-FET19、20のソース・ドレイン間を通じて互いに接続され、この接続点と2次側コイル5Bの中間タップとの間に平滑用のコンデンサ21が接続される。さらにMOS-FET19、20はそれぞれ駆動回路24、25によってオンオフが制御され、例えば図示の例ではコンデンサ21側からコイル5Bに向かって電流が流れている期間にのみオンされるように同期制御される。
請求項（抜粋）：
スイッチング素子を2石用いたハーフブリッジ構成を有し、上記2石のスイッチング素子の中点に共振コンデンサと電圧変換用トランスが設けられると共に、上記電圧変換用トランスの2次側整流としてMOS-FETを用いて同期整流を行うことを特徴とする電源装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H02M 3/28 F
, H02M 3/28 Q
, H02M 3/335 F
