特許
J-GLOBAL ID:200903027140414205
透明導電性積層体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
鈴木 崇生
, 梶崎 弘一
, 尾崎 雄三
, 谷口 俊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-172178
公開番号(公開出願番号):特開2006-346878
出願日: 2005年06月13日
公開日(公表日): 2006年12月28日
要約:
【課題】 透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、透明性等の光学特性に優れた透明導電性積層体を提供すること。【解決手段】 厚さが2〜200μmの透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、第一透明誘電体薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーディング法により形成され、かつ第一透明誘電体薄膜は、酸化インジウム100重量部に対して、酸化錫を0〜20重量部、酸化セリウムを10〜40重量部含む複合酸化物からなり、第一透明誘電体薄膜の屈折率をn1、第二透明誘電体薄膜の屈折率をn2、透明導電性薄膜の屈折率をn3としたとき、n2<n3≦n1の関係を満たすことを特徴とする透明導電性積層体。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
厚さが2〜200μmの透明なフィルム基材の一方の面に、前記基材フィルムの側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、
第一透明誘電体薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーディング法により形成され、かつ第一透明誘電体薄膜は、酸化インジウム100重量部に対して、酸化錫を0〜20重量部、酸化セリウムを10〜40重量部含む複合酸化物からなり、
第一透明誘電体薄膜の屈折率をn1、第二透明誘電体薄膜の屈折率をn2、透明導電性薄膜の屈折率をn3としたとき、n2<n3≦n1の関係を満たすことを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (7件):
B32B 7/02
, G02B 1/10
, H05F 1/00
, H05K 9/00
, G02F 1/134
, H01B 5/14
, H01B 13/00
FI (7件):
B32B7/02 104
, G02B1/10 Z
, H05F1/00 E
, H05K9/00 V
, G02F1/1343
, H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
Fターム (62件):
2H092GA62
, 2H092HA04
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA06
, 2H092MA37
, 2H092NA01
, 2H092NA11
, 2H092NA14
, 2H092NA17
, 2H092PA01
, 2K009CC03
, 2K009DD03
, 2K009DD04
, 2K009DD07
, 2K009EE03
, 4F100AA17B
, 4F100AA33B
, 4F100AK01A
, 4F100AK42
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10D
, 4F100BA10E
, 4F100BA25A
, 4F100BA25B
, 4F100EH66B
, 4F100GB41
, 4F100JG01D
, 4F100JG04B
, 4F100JG05B
, 4F100JG05C
, 4F100JL13E
, 4F100JM02B
, 4F100JM02C
, 4F100JN01A
, 4F100JN01D
, 4F100JN01E
, 4F100JN18B
, 4F100JN18C
, 4F100JN18D
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 5E321BB23
, 5E321CC16
, 5E321GG05
, 5E321GH01
, 5G067AA70
, 5G067BA02
, 5G067CA02
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FB03
, 5G307FC09
, 5G307FC10
, 5G323BA02
, 5G323BA03
, 5G323BB04
, 5G323BB05
, 5G323BB06
引用特許:
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