特許

J-GLOBAL ID：200903027148298778

積層配線の形成方法

発明者： 佐藤 学 ,  西田 知紘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284998
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127555
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 液晶表示装置等の信号配線等に用いる、Al系金属層上にMo等の高融点金属層が形成された積層配線を、ウェットエッチングにより信頼性高く形成する方法を提供する。【解決手段】 燐酸、酢酸および硝酸を主体とする混酸において、特定の容量混合比を採用してAl系金属層と高融点金属層を順次エッチングする。【効果】 Al系金属層と高融点金属層のエッチングレートがほぼ同じウェットエッチング条件を採用することにより、Al系金属配線のアンダカットやボイドの発生が防止される。

請求項（抜粋）：

Al系金属層と高融点金属層との積層構造を有する積層配線の形成方法であって、基板上にAl系金属配線を形成する工程、前記基板および前記Al系金属配線上全面に高融点金属層を形成する工程、前記高融点金属層上に、前記Al系金属配線の幅より広い幅のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして、前記高融点金属層をウェットエッチングする工程を含み、前記ウェットエッチング用のウェットエッチング液は、燐酸、酢酸および硝酸を含む混酸からなり、前記混酸の容量混合比は、前記酢酸の容量混合比が、前記燐酸の容量混合比および前記硝酸の容量混合比のいずれより大きいことを特徴とする、積層配線の形成方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N