特許

J-GLOBAL ID：200903027154827537

半導体基板及び半導体装置の製造方法

発明者： 宮本 忠芳 ,  三谷 康弘 ,  渋谷 司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095580
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293464
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【構成】 半導体膜の熔融結晶化工程において、絶縁性基板10上に形成された非晶質シリコン膜12表面に、二酸化シリコン膜13からなる反射防止膜を選択的に堆積し、その後、基板全面にレーザ光15を照射してアニール処理を行う。【効果】 非晶質シリコン膜12表面に反射防止膜を選択的に堆積することによって、基板全面に同じ条件でレーザ光15を照射する場合にも、レーザ光15のエネルギパワーを基板各領域ごとに選択的に制御することを可能にし、同一基板上で各領域により適した特性を有する複数の薄膜トランジスタを精度良く形成することができる。さらに、一度のエネルギ線照射で基板全面を処理できるためにスループットが高く、かつエネルギ線装置本体も低エネルギパワーでの照射で処理できるために、装置の負担を軽減し、常に安定した処理ができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板、または絶縁膜で表面を覆った基板上に形成された非晶質半導体膜にエネルギ線を照射し、前記非晶質半導体膜を熔融結晶化する工程において、前記非晶質半導体膜表面に膜厚の相互に異なる反射防止膜を選択的に堆積することを特徴とする半導体基板及び半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 G