特許

J-GLOBAL ID：200903027156559424

半導体記憶装置

発明者： 杉林 直彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303634
公開番号（公開出願番号）：特開平9-128965
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】大容量DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)の消費電流の削減。【解決手段】DRAMにおいて、セルフリフレッシュモードを有し、ファイルアロケーションテーブル用のメモリと、ファイルアロケーションテーブルに付属するレジスタ群を有し、ファイルアロケーションテーブルにより関連づけられた第1のレジスタに記憶された値とセルフリフレッシュ動作モード信号とにより、このレジスタ群の値を書き換え、ファイルアロケーションテーブルが示すメモリ領域のセルフリフレッシュを停止する。

請求項（抜粋）：

セルフリフレッシュモードを有する半導体記憶装置であって、ファイルアロケーションテーブル用のメモリと、ファイルアロケーションテーブルに付属するレジスタ群を有し、前記レジスタ群のファイルアロケーションテーブルにより関連づけられたレジスタに記憶された値とセルフリフレッシュ動作モード信号とにより、前記レジスタの値を書き換え、前記レジスタの値に応じて前記ファイルアロケーションテーブルが示すメモリ領域のセルフリフレッシュの停止を制御することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 ,  G06F 12/06 515

FI (2件)：

G11C 11/34 363 Z ,  G06F 12/06 515 H