特許

J-GLOBAL ID：200903027164121438

半導体レーザ

発明者： 奥山 浩之 ,  秋本 克洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174122
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021893
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 GaAs基体を用いて短波長発光レーザを構成する。【構成】 GaAs基体1上にエピキタキシャルクラッド層2,3と活性層4とを形成し、そのクラッド層2,3をMgZnCdS系II-VI属化合物半導体によって構成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基体上に、少なくともクラッド層と、活性層とがエピキタキシャル成長されて成り、少なくとも上記クラッド層がMg<SB>x </SB>Zn<SB>y </SB>Cd<SB>1-x-y </SB>S系II-VI族化合物半導体より成り、x,y(それぞれ原子比)が、0<x≦0.900.50≧y>0に選定されたことを特徴とする半導体レーザ。