特許

J-GLOBAL ID：200903027169175129

GaN及びGa▲下1-x-y▼Al▲下x▼In▲下y▼Nの結晶及びエピタキシャル層の機械-化学研摩

発明者： ポロフスキ,シルヴェステル ,  グジェゴシ,イザベラ ,  ヴァイヘル,ヤーン ,  ノヴァク,グジェゴズ
出願人/特許権者： ツェントルム バダニ ヴィソコチシニエニオヴィフ ポルスキエイ アカデミイ ナウク
代理人 (1件)： 武石 靖彦 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-542645
公開番号（公開出願番号）：特表2001-518870
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：

【要約】本発明は、GaN及びGa1-x-yAlxInyNの結晶及びエピタキシャル層の表面から不規則性及び重大な欠陥領域を機械-化学研摩により除去する方法であって、その表面には濃度0.01N以上の塩基性水溶液からなる化学的エッチング剤の存在下において、10秒間にわたり圧力を加えて、ソフトパッドで研摩し、次いで、エッチング剤を純水で置換するとともに、少なくとも1分間研摩し、さらに、圧力の低下に伴って研摩機を停止し、研摩されたGaN結晶及びエピタキシャルGaAlInN層が研摩機より除去されるとともに、乾燥窒素ガス流中で乾燥される。

請求項（抜粋）：

GaN及びGaAlInNの結晶及びエピタキシャル層の表面から不規則性 及び重大な欠陥領域を機械-化学研摩により除去する方法であって、その表面 には濃度0.01N以上の塩基性水溶液からなる化学的エッチング剤の存在下 において、10秒間にわたり圧力を加えて、ソフトパッドで研摩し、次いで、 エッチング剤を純水で置換するとともに、少なくとも1分間研摩し、さらに、 圧力の低下に伴って研摩機を停止し、研摩されたGaN結晶及びエピタキシャ ルGaAlInN層が研摩機より除去されるとともに、乾燥窒素ガス流中で乾 燥されるものであることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/40

FI (2件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/40 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352259   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-100215   出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Room-temperature photoenhanced wet etching of GaN
• Homoepitaxy of GaN on polished bulk single crystals by metalorganic chemical vapor deposition
• Spatial distribution of electron concentration and strain in bulk GaN single crystals-relation to gr
• Chemical polishing of bulk and epitaxial GaN