特許

J-GLOBAL ID：200903027171962758

半導体ウェーハの精密面取り法

発明者： 田中 恵一 ,  橋本 靖行
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250948
公開番号（公開出願番号）：特開2001-071244
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの精密面取り法において、面取り加工でのダメージを極力抑えるとともにドレッシングを不要にすること。【解決手段】 半導体ウェーハWの周縁に面取り面を形成する半導体ウェーハの精密面取り法であって、前記面取り面を粗加工する粗面取り工程と、該粗面取り工程後に前記面取り面を精密加工する精密面取り工程とを備え、前記粗面取り工程は、メタルボンド砥石3aで前記面取り面を加工し、前記精密面取り工程は、前記メタルボンド砥石より粒度が細かいレジンボンド砥石3bで前記面取り面を加工する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの周縁に面取り面を形成する半導体ウェーハの精密面取り法であって、前記面取り面を粗加工する粗面取り工程と、該粗面取り工程後に前記面取り面を精密加工する精密面取り工程とを備え、前記粗面取り工程は、メタルボンド砥石で前記面取り面を加工し、前記精密面取り工程は、前記メタルボンド砥石より粒度が細かいレジンボンド砥石で前記面取り面を加工することを特徴とする半導体ウェーハの精密面取り法。

IPC (2件)：

B24B 9/00 601 ,  H01L 21/304 601

FI (2件)：

B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/304 601 B

Fターム (8件)：

3C049AA03 ,  3C049AA11 ,  3C049AA16 ,  3C049AA18 ,  3C049AB01 ,  3C049AB06 ,  3C049CA01 ,  3C049CB05