特許

J-GLOBAL ID：200903027175030850

光半導体装置

発明者： 菅 博文 ,  内藤 寿夫 ,  伊藤 之弘 ,  松井 謙 ,  宮島 博文
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335087
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167197
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、コヒーレンス特性が良く、かつ光強度が低下しない光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 複数の反射面を有する無端の導波路(19)を備えているので、光生成型の導波路長を十分長く取ることができる。ここで、出射面(20a)以外の反射面(20b、20c、20d)を全反射面とし、特定の出射面(20a)で光の大部分を反射させながら一部を透過させるようにすると、導波路(19)内を光が巡回し、導波路(19)を共振器として発振するレーザ光の出力が出射面から得られる。この共振器長は十分に長く取れるのでのレーザ光のコヒーレンス特性が向上する。一方、出射面(20a)に入射される光の大部分を透過させるようにすると、導波路(19)が光増幅用の活性領域となり、十分に長い導波路(19)で増幅された大きな出力を出射面(20a)から効率良く取り出すことができる。

請求項（抜粋）：

複数の反射面を有する無端の導波路を備え、少なくとも1つの反射面が結晶成長により形成された出射面であることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-293284
  
• 特表平4-507013
  
• 特開平3-006078
  
• 特開昭61-067977