特許
J-GLOBAL ID：200903027175418289
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-113244
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321050
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】複数の被処理半導体基板を基板相互間に小間隙を存在させて積層状態に保持したボートを出し入れするために一方の端面が開放された筒状の反応管を筒状の加熱手段で囲み反応管内部の軸方向複数個所に互いに温度の異なる温度領域を形成して被処理半導体基板に薄膜形成,アニールあるいはリフロー等のそれぞれ異なる処理を行う半導体製造装置を、膜厚の均一性が基板ごと及び基板相互間で向上するとともに成膜処理工程中にパーティクル汚損の少ない装置に構成する。【構成】各温度領域へガスを同時に送入したときにガス同志の接触や混合が生じないように筒状体3を用いて反応管最奥側温度領域を除く各温度領域に処理用空間40を画成する。
請求項（抜粋）：
複数の被処理半導体基板を基板相互間に小間隙を存在させて積層状態に保持したボートを出し入れするために一方の端面が開放された筒状の反応管を筒状の加熱手段で囲み反応管内部の軸方向複数個所に互いに温度の異なる温度領域を形成して被処理半導体基板に薄膜形成,アニールあるいはリフロー等のそれぞれ異なる処理を行う半導体製造装置において、各温度領域へのガスの同時送入がガス同志の接触あるいは混合を生じさせないで可能となるように筒状体を用いて反応管最奥側の温度領域を除く各温度領域に処理用空間が画成されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
, H01L 21/324
