特許
J-GLOBAL ID：200903027176991012
薄膜多層回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227637
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086736
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミドを絶縁層とする薄膜多層回路基板に関し、配線層形成金属の酸化を防ぐと共に断線や接続不良をなくすることを目的とする。【構成】 絶縁基板上に配線層,絶縁層,配線層と交互に複数個積層して構成される薄膜多層回路基板において、ボリイミドよりなる絶縁層と配線層との間に二酸化硅素膜をパッシベーション膜として介在させ、また、配線層が、連続的に組成比を変えて形成したクローム/銅/クロームの複合金属膜をからなることを特徴として薄膜多層回路基板を構成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に配線層,絶縁層,配線層と交互に複数個積層して構成される薄膜多層回路基板において、ボリイミドよりなる絶縁層と配線層との間に二酸化硅素膜をパッシベーション膜として介在させたことを特徴とする薄膜多層回路基板。
IPC (2件)：
前のページに戻る
