特許

J-GLOBAL ID：200903027177269299

気相成長装置および気相成長方法

発明者： 竹本 理史 ,  柿本 典子
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-156864
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363180
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】厚み、組成および不純物濃度等がより均一な結晶が複数枚の基板上に同時に効率良く成長する気相成長装置および気相成長方法を提供する。【解決手段】横型の気相成長炉1を備えた気相成長装置であって、該気相成長炉1は、気相成長炉1の中心部に形成されたガス吹き出し口3と、ガス吹き出し口3の周囲に設置され得る複数枚の基板6のそれぞれの表面上にガス2を流すように形成された中空のガス流路8とを含み、ガス流路8は設置され得る各々の基板6に対して1つずつ形成されており、ガス流路8の断面積は設置され得る基板6のガス上流側端部からガス下流側端部までは少なくとも一定である気相成長装置である。さらに、上記気相成長装置を用いた気相成長方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

横型の気相成長炉を備えた気相成長装置であって、 該気相成長炉は、 気相成長炉の中心部に形成されたガス吹き出し口と、 ガス吹き出し口の周囲に設置され得る複数枚の基板のそれぞれの表面上にガスを流すように形成された中空のガス流路と、 を含み、 ガス流路は設置され得る各々の基板に対して1つずつ形成されており、 ガス流路の断面積が設置され得る基板のガス上流側端部からガス下流側端部までは少なくとも一定であることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

Fターム (10件)：

4K030EA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP14 ,  5F045DQ14 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成方法および薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-267076   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244648   出願人：日産自動車株式会社