光電変換素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200186
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048126
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】低価格の光電変換素子を製造するための基本構造およびその製造方法を提供する。【構成】 n型結晶シリコン粉末6を基板上1に低融点金属2を熔融させることにより接着し、その上にi型アモルファスシリコン層3 、p型アモルファスシリコン層4、透明導電膜5を順次形成することにより光電変換素子を形成する。【効果】このような構造にすることにより、これまで低価格化の障害となっていたシリコン結晶基板を用いない、安価な光電変換素子を製造することが可能となる。また、大面積化、集積化素子の作成が容易である。

請求項（抜粋）：