特許
J-GLOBAL ID：200903027189075520
ウェーハレベル真空パッケージングが可能なMEMS構造物の製作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196484
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハレベル真空パッケージングが可能なMEMS構造物の製作方法を提供する。【解決手段】 第1ウェーハにシグナルラインを含む多層構造の積層を形成する第1段階と、前記多層構造の積層に第2ウェーハを付着する第2段階と、前記第1ウェーハを所定厚さで研磨する第3段階と、前記第1ウェーハに、前記シグナルラインに連結されたものであって真空化領域内に位置するMEMS構造物と真空化領域の外部に位置するパッドを形成する第4段階と、第3ウェーハに前記MEMS構造の真空化領域に対応する空間を有する構造を形成する第5段階と、前記第1ウェーハの研磨面と第3ウェーハを真空環境で結合する第6段階とを含む。
請求項（抜粋）：
第1ウェーハにシグナルラインを含む多層構造の積層を形成する第1段階と、前記多層構造の積層に第2ウェーハを付着する第2段階と、前記第1ウェーハを所定厚さで研磨する第3段階と、前記第1ウェーハに、前記シグナルラインに連結されたものであって真空化領域内に位置するMEMS構造物と真空化領域の外部に位置するパッドを形成する第4段階と、第3ウェーハに前記MEMS構造の真空化領域に対応する空間を有する構造を形成する第5段階と、前記第1ウェーハの研磨面と第3ウェーハを真空環境で結合する第6段階とを含むことを特徴とするウェーハレベル真空パッケージングが可能なMEMS構造物の製作方法。
IPC (4件)：
H01L 23/02
, B81C 3/00
, G01C 19/56
, G01P 9/04
H01L 23/02 B
, H01L 23/02 Z
, B81C 3/00
, G01C 19/56
, G01P 9/04
