特許

J-GLOBAL ID：200903027190231624

化合物半導体装置

発明者： 細井 重広 ,  萩原 秀幸 ,  浅原 英敏 ,  越智 雅範 ,  上野 豊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164177
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353779
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、金属電極と接地配線との接続に必要となる領域を削減して、チップ面積の縮小化を達成し得ることを課題とする。【解決手段】 この発明は、化合物半導体基板1上に下層金属2と上層金属4で誘電層3を挟んで形成されたMIMキャパシタの上層金属3上に緩衝層5が形成され、この緩衝層5上の平坦層6にワイヤボンディングして接地給電するように構成される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に2つの金属電極で誘電層を挟んで形成されたMIMキャパシタの化合物半導体装置において、一方の前記金属電極と接地配線とを接続する接続部が、前記化合物半導体基板に対して前記一方の金属電極の鉛直方向に設けられてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 29/80 E

Fターム (25件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038BE07 ,  5F038BE10 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F044EE01 ,  5F044EE17 ,  5F102FA10 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GR10 ,  5F102GV03 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC30