特許

J-GLOBAL ID：200903027198309681

半導体装置およびその製造方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100137
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294314
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 Al系金属を用いたコンタクトプラグおよび上層導電層を有する多層配線構造の高集積度半導体装置およびその製造方法において、コンタクトプラグの抵抗値上昇、ならびに上層導電層のエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。【解決手段】 コンタクトプラグ9部分はTiN等の高融点金属窒化物層5とAl系金属層6の2層構造とし、上層導電層10部分はTi等の高融点金属層4、高融点金属窒化物層5およびAl系金属層6の3層構造とする。【効果】 コンタクトプラグ部分での高抵抗Al-Ti合金等の形成が防止されるとともに、上層導電層部分では結晶配向性に優れたAl系金属層が形成される。

請求項（抜粋）：

下層導電層上の層間絶縁膜に、前記下層導電層に臨む接続孔および前記接続孔内に充填されたコンタクトプラグを有し、前記層間絶縁膜上には、前記コンタクトプラグに臨む上層導電層を有する半導体装置において、前記コンタクトプラグは、前記下層導電層側より、高融点金属窒化物層およびAl系金属層の積層構造を有し、前記上層導電層は、前記層間絶縁膜側より、高融点金属層、高融点金属窒化物層およびAl系金属層の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C