特許
J-GLOBAL ID：200903027200821743
高純度炭化珪素質焼結体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-142904
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012437
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【構成】炭化珪素と炭素からなる成形体に対して非酸化性雰囲気中、珪素の融点以上の温度で金属珪素を含浸した後、前記炭素を珪化する反応焼結炭化珪素質焼結体の製造方法であって、上記工程中に1回1600〜2100°C、真空中で不純物を除去するための熱処理工程を含むことを特徴とする高純度炭化珪素質焼結体の製造方法。【効果】不純物の鉄を著しく減少させることができ、半導体製造用治具に適した焼結体が得られる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素と炭素からなる成形体に対して非酸化性雰囲気中、珪素の融点以上の温度で金属珪素を含浸した後、前記炭素を珪化する反応焼結炭化珪素質焼結体の製造方法であって、上記工程中に1600〜2100°C、真空中で不純物を除去するための熱処理工程を含むことを特徴とする高純度炭化珪素質焼結体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/56 101 V
, C04B 35/64 A
