特許

J-GLOBAL ID：200903027202118284

誘電体の望ましくない水分保持と引き続く水素の放出拡散の影響とを減少させる、集積回路のプロセスのための歩留り向上技術

発明者： スタンレイ シー. ペリノ ,  サンジェイ ミトラ ,  ジョージ アルゴス, ジュニア ,  ホリ ハーパー
出願人/特許権者： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144681
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 集積回路プロセスのための歩留り向上技術であって、従来の誘電体膜に吸収されて、CERDIPパッケージで受けるような相対的に高い温度に集積回路ダイが引き続いてさらされる場合に、望ましくない後続の水素の放出拡散をもたらすH2Oの汚染の影響を低減する。【解決手段】 集積回路上のデバイスを少なくとも部分的に取り囲む、易吸水性の層間誘電体層(例えば、7.5%のリンをドープしたTEOS)を形成され、次いでその層に対して、その中に含まれる水分を少なくとも一部を除去するアニール操作を施す。引き続き、相対的に低い易吸水性の第2の誘電体層(UTEOS等)が層間誘電体層と少なくとも部分的に連結させて積層され、次いで上に横たわるパッシベーション層(UTEOS等)が集積回路の処理完了に先立ち、また後続のパッケージ組み立て操作に先立って集積回路に積層される。

請求項（抜粋）：

集積回路の製造プロセスにおいて歩留まりを向上させる方法であって、前記集積回路の1個の素子を少なくとも部分的に取り囲む、他と比べて汚染物の吸収性のある第1の層を供給する第1の供給ステップと、十分な温度に前記第1の層を含む前記集積回路をさらし、それによって吸収されたあらゆる汚染物の少なくとも一部分を追い出す温度ステップと、前記第1の層に少なくとも部分的に連なる他と比べて汚染物の低い吸収性の第2の層を更に供給する第2の供給ステップと、前記第1の層および前記第2の層を含む前記集積回路をパッシベートするパッシベートステップであって、前記第2の層に存在する前記汚染物のどれもが前記第1の層によって吸収されることと、を備える方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371