特許

J-GLOBAL ID：200903027206917432

不揮発性メモリ素子及びその製造方法

発明者： 韓 禎 希 ,  金 柱 享 ,  金 ▲さだ▼ 雨 ,  田 尚 勲 ,  鄭 淵 碩 ,  李 承 鉉
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043014
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237604
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】半導体基板上に形成されるゲート構造物を備える不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】ゲート構造物は、半導体基板上の第1絶縁膜220と、第1絶縁膜上に形成され、電荷保存のためのストレージノード230と、ストレージノード上の第2絶縁膜240と、第2絶縁膜上の第3絶縁膜250と、第3絶縁膜上の制御ゲート電極260と、を備え、第2絶縁膜と第3絶縁膜のうち少なくとも一つ以上の誘電定数は第1絶縁膜の誘電定数より大きい。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるゲート構造物を備えるものであって、 前記ゲート構造物は、 前記半導体基板上の第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、電荷保存のためのストレージノードと、 前記ストレージノード上の第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜上の第3絶縁膜と、 前記第3絶縁膜上の制御ゲート電極と、を備え、前記第2絶縁膜と前記第3絶縁膜のうち少なくとも一つ以上の誘電定数は前記第1絶縁膜の誘電定数より大きいことを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (22件)：

5F083EP01 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP54 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083JA04 ,  5F083PR21 ,  5F101BA01 ,  5F101BA23 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BH02