特許

J-GLOBAL ID：200903027207148262

半導体チップにバーン・イン操作を実施するための方法

発明者： ホルガー ヒユープナー ,  ウエルナー ウエーバー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337241
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211756
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 チップを容器に組込むことから生じる難点を回避し、テスト操作を複数のチップに並行して行うことのできる半導体デバイスにバーン・イン操作を実施するための方法を提供する。【構成】 一時的電圧供給のために導体路5、6及び接続面7、8を有するパターン化された金属化部を施し、この金属化部によりデバイスを検査するための供給電圧を印加し、バーン・インテストを実施し、次いで金属化部を再び半導体ウェハの表面から除去する。短絡から保護するためにこの金属化部と個々のデバイス1の端子接触部2、3との間のリード線内に狭窄部をヒューズ4として形成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上にまとめて形成されているテストすべきデバイス(1)に導電性のパターン化された導体層(5、6、7、8)を備え、この導体層を、供給電圧を印加するために設けられたテストすべき各デバイス(1)の端子と供給電圧とがこの導体層を介して接続可能になるようにパターン化し、この導体層を介して供給電圧が半導体ウェハ上にあるテストすべきデバイスに印加されるようにバーン・インテスト操作を実施し、このテスト操作後に導体層を除去することを特徴とする半導体デバイスにバーン・イン操作を実施するための方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

G01R 31/28 V ,  H01L 21/82 T ,  H01L 21/82 R ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/04 H