特許

J-GLOBAL ID：200903027209046807

酸化チタン膜の製造方法、酸化チタン膜および太陽電池

発明者： 宮本 勉 ,  藤森 裕司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312393
公開番号（公開出願番号）：特開2002-121683
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】光電変換効率に優れる酸化チタン膜、酸化チタン膜の製造方法および太陽電池を提供すること。【解決手段】本発明の太陽電池1は、いわゆる乾式太陽電池と呼ばれるものであり、基板2と、基板2の上面に設置された第1の電極3と、第1の電極3の上面に設置された酸化チタン膜4と、酸化チタン膜4の上面に設置された第2の電極5とで構成され、第1の電極3と酸化チタン膜4との界面には、ショットキー障壁が形成されている。酸化チタン膜4は、主として酸化チタンで構成される。酸化チタン膜4の受光面における表面粗さRaは、酸化チタン膜4の製造に用いた酸化チタン粉末の平均粒径より大きい。酸化チタン膜4の受光面における表面粗さRaは、1〜10μmであるのが好ましい。酸化チタン膜4の空孔率は、10〜50であるのが好ましい。このような太陽電池1は、半導体4への光の入射角が90°および52°での光電変換効率を、それぞれ、R90およびR52としたとき、R52/R90が0.8以上であるのが好ましい。

請求項（抜粋）：

酸化チタン粉末を主とする材料を成形して膜状体を形成する工程と、前記膜状体の表面の少なくとも一部に、表面粗さRaが前記酸化チタン粉末の平均粒径より大きくなるように粗面化処理を施す工程とを有することを特徴とする酸化チタン膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 26/00 ,  C01G 23/04 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C23C 26/00 C ,  C01G 23/04 C ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 L

Fターム (17件)：

4G047CB08 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4K044AA01 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BC14 ,  4K044CA53 ,  4K044CA62 ,  5F051AA20 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA05 ,  5F051FA04