特許

J-GLOBAL ID：200903027209770262

固体撮像装置

発明者： 石田 知久
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336798
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172394
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】本発明は、固体撮像装置(画素領域)の汚染除去に効果的なゲッタリング技術を提示することを目的とする。【解決手段】本発明は、入射光に応じて信号電荷を生成する単位画素を半導体基板に複数備えた固体撮像装置である。この固体撮像装置の単位画素間には、トレンチ分離領域が形成される。このトレンチ分離領域の溝には、1E19cm-3以上の不純物濃度を示す非晶質または多結晶の物質が埋め込まれる。このような構造のトレンチ分離領域は、ゲッタリング領域として働き、固体撮像装置(特に画素領域)の金属汚染を顕著に除去する。その結果、高S/Nの固体撮像装置を実現することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

入射光に応じて信号電荷を生成する単位画素を半導体基板に複数備えた固体撮像装置であって、 前記単位画素間にトレンチ分離領域が形成され、前記トレンチ分離領域の溝に、1E19cm-3以上の不純物濃度を示す非晶質または多結晶の物質が埋め込まれている ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L27/146 ,  H01L21/322 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L21/322 P ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 B

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA50 ,  4M118GB03 ,  4M118GB06 ,  4M118GB10 ,  4M118GB14 ,  4M118GB19 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31