特許

J-GLOBAL ID：200903027219185040

半導体ウェハ及び半導体チップ並びに半導体装置とその製造方法

発明者： 金井 友範 ,  岸本 清治
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072043
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】接続パッドの高密度化、薄型化及び高い接続信頼性の実現が可能な半導体ウェハ及び半導体チップ並びに半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明にかかる半導体チップは対向する回路基板20の接続パッド21上に設けられた半田ペースト22により前記基板に直接実装される半導体チップである。半導体チップに設けられた半導体回路に信号を入出力する入出力端子5と、半導体チップの回路形成面1c上に設けられた第1絶縁層2を備えている。そして入出力端子5と電気的に接続されたCuスパッタ層8a及びCuめっき層8bを備えている。Cuめっき層8bを覆うように第2絶縁層4が形成され、その開口部11に錫からなるめっき層10が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

対向する基板の接続パッド上に設けられた半田ペーストにより前記基板に直接実装される半導体チップであって、 前記半導体チップに設けられた半導体回路に信号を入出力する端子と、 前記半導体チップの回路形成面上に設けられた第1の絶縁層と、 前記端子と電気的に接続された再配線層と、 前記再配線層を覆うように形成された第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層の開口部に設けられ、前記再配線層と接続されるめっき層を備えた半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60

FI (3件)：

H01L23/12 501P ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/88 T

Fターム (19件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV07 ,  5F033XX20 ,  5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03