半導体レーザ装置と製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337541
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202314
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 1回のMOCVD成長でレーザ構造を作成することのできる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】段差つき基板上に形成する斜面発光型半導体レーザ装置の活性層において、平坦部と斜面部がなす角度を12度よりも小さい角度するか、斜面部の幅を2.5μm以下とする。このような構成することにより、近視野で単峰性の光出力が得られる。

請求項（抜粋）：

(100)面あるいは(n11)A面(nは7<nの実数)が表出した2つの平坦面と、前記2つの平坦面を接続し、(m11)A面(mは2≦m≦7の実数)が表出した斜面を持つIII-V化合物半導体の段差基板と、(100)面あるいは(n11)A面が表出した2つの平坦面と、前記2つの平坦面を接続し、(k11)A面(kは3≦k≦7の実数)が表出し、平坦面となす角度が12度より小さい斜面を持つ活性層と、前記活性層に接して積層され、斜面に沿う領域で高いp型キャリア濃度を持ち、平坦面に沿う領域で低いp型キャリア濃度を持つp側第1クラッド層と、前記p側第1クラッド層に接して積層され、斜面と沿う領域でp型の第2クラッド層を形成し、平坦面に沿う領域でn型の電流ブロック層を形成する同一のクラッド兼ブロック層とを有する半導体レーザ装置。

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