硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法並びに前記方法で得られた膜、基板、デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上代哲司 , 神野直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080213
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254810
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】バンドギャップ、絶縁性等の電気的特性に優れると共に、可視光の高い透過率など光学的特性にも優れた化合物を、フレキシブル有機材料製基板やガラス製基板等が耐えられる250°C未満の温度で成膜する。【解決手段】プラズマを利用して窒素原子を主に励起し、励起した窒素原子を硼素原子、炭素原子および酸素原子と反応させて、成膜室内の250°C未満の基板上に硼素炭素窒素酸素化合物を成膜させることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。前記硼素炭素窒素酸素化合物は、酸素が20at%以上含まれていることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。前記基板は、紙製基板、合成樹脂製基板、フレキシブル有機材料製基板またはガラス製基板であることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマを利用して窒素原子を主に励起し、励起した窒素原子を硼素原子、炭素原子および酸素原子と反応させて、成膜室内の250°C未満の基板上に硼素炭素窒素酸素化合物を成膜させることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/30 , C01B 35/14 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (4件)：

C23C16/30 , C01B35/14 , H01L21/31 C , H01L21/316 X

Fターム (27件)：

4K030AA03 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA36 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA49 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC15 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EE11 , 5F045EH11 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-040991 出願人：株式会社渡辺商行, 杉野隆
センサーおよび電気化学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-382394 出願人：株式会社渡邊商行, 杉野隆
電極、電子放出素子およびそれを用いた装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-259339 出願人：株式会社渡邊商行, 杉野隆

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