特許

J-GLOBAL ID：200903027223311220

半導体装置の製造方法

発明者： 藤掛 秀樹 ,  滝山 真功
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303652
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129876
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極側壁に形成されたサイドウォール絶縁膜からの局所的なリーク電流を防止する。【解決手段】675°C程度のCVD法で形成したシリコン酸化膜4を900°C以上の温度で熱処理した後、ゲート電極のパターンを形成し、更に、ゲート電極3の側面を800〜900°Cの温度で熱酸化して熱酸化膜6を形成する。これにより、ゲート電極の下パターンとシリコン酸化膜4の幅を互いに整合させ、その後、サイドウォール絶縁膜8を形成する。【効果】シリコン酸化膜4を熱処理によって緻密構造としているため、その後の熱処理やエッチング処理におけるシリコン酸化膜4の寸法安定性が高くなり、その結果、形状の良好なサイドウォール絶縁膜8を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後、前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成する第1の工程と、前記導電膜上に第1の酸化膜を形成する第2の工程と、前記第2の工程で前記第1の酸化膜を形成した時の温度条件より高い温度条件で前記第1の酸化膜を熱処理する第3の工程と、前記導電膜をゲート電極の形状に加工する第4の工程と、前記第2の工程で前記第1の酸化膜を形成した時の温度条件より高く、且つ、前記第3の工程における熱処理の温度条件と同等か若しくはそれより低い温度条件の熱酸化により、前記ゲート電極の側面部に第2の酸化膜を形成する第5の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G