特許

J-GLOBAL ID：200903027227255146

高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法

発明者： 長町 信治
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 中井 宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-073946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211120
出願日： 1991年03月13日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】高輝度集束イオンビーム装置を用いて、微細な薄膜化合物パターンを生成する。【構成】高輝度集束イオンビーム装置Aを用いて、イオン源より生成すべき化合物パターンを構成する一方の元素のイオンビームを放出させ、上記基板表面のイオンビームの照射される付近を、生成すべき化合物パターンを構成する他方の元素のガス雰囲気に保持し、更にイオンビームの到達運動エネルギーを、ガスにイオン元素を化学結合させるレベルに制御することによって、高輝度集束イオンビームを用いて化合物の薄膜パターンを連続して生成している。

請求項（抜粋）：

イオン源より放出された高速イオンビームを偏向し減速しながら、基板表面に照射して薄膜パターンを形成する方法であって、上記基板表面に照射するイオンビームを、生成すべき化合物パターンを構成する一方のイオン元素とし、かつ上記基板表面のイオンビームの照射される付近を生成すべき化合物パターンを構成する他方の元素からなるガス雰囲気に保持するとともに、上記イオンビームの基板表面への到達運動エネルギーを、両イオン元素を化学結合させる程度のレベルに調整保持させることを特徴とする高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法。【0001】

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  C30B 25/06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-170940
  
• 特開平1-127671
  
• 特開平2-181984