特許

J-GLOBAL ID：200903027229291948

シリコンMOSFET高周波半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 大中道 崇浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287419
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100761
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 高ESD耐性を持つ高信頼度の高機能高周波Si-MOS半導体デバイスを提供する。【解決手段】 高周波入出力信号線と外部供給電源VDDとの間、および外部接地電圧GNDと前記高周波入出力信号線との間に、高周波入出力信号線から外部供給電圧VDDへの向き、および外部接地電圧GNDから高周波入出力信号線への向きがそれぞれダイオードの順方向となるようにポリシリコン横方向ダイオードを形成・接続する。

請求項（抜粋）：

基板上にSiのMOSトランジスタが形成されてなる高周波半導体デバイスであって、前記基板上に、ポリシリコンに横方向にPN接合を形成することにより得られるポリシリコン横方向ダイオードが、高周波入出力信号線と外部供給電源VDDとの間に、高周波入出力信号線から外部供給電圧VDDへの向きがダイオードの順方向となるように形成されることを特徴とする高周波半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 29/91 E

Fターム (44件)：

5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA23 ,  5F040DA24 ,  5F040DB03 ,  5F040DB06 ,  5F040DB09 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FC19 ,  5F048AA02 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048CC04 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19 ,  5F048DA09 ,  5F048DA23