電界放出表示素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176380
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】製造原価が低いながらも画素パターンの高精細化が可能であり,電子放出効果の向上が可能な平板表示素子の製造方法を提供すること。【解決手段】導電ペーストを製造する段階と,製造された前記導電ペーストを,厚膜技術を利用して基板に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記導電ペーストの一部を除去することにより所定のパターンを有する電極を形成する段階と,カーボン系列の物質で面電子放出ペーストを製造する段階と,製造された前記面電子放出ペーストを,厚膜技術を利用して前記電極が形成された基板の全面に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記面電子放出ペーストのみを除去してエミッタを形成する段階と,を含むことを特徴とする電界放出表示素子の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

導電ペーストを製造する段階と,製造された前記導電ペーストを,厚膜技術を利用して基板に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記導電ペーストの一部を除去することにより所定のパターンを有する電極を形成する段階と,カーボン系列の物質で面電子放出ペーストを製造する段階と,製造された前記面電子放出ペーストを,厚膜技術を利用して前記電極が形成された基板の全面に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記面電子放出ペーストのみを除去してエミッタを形成する段階と,を含むことを特徴とする電界放出表示素子の製造方法。

前のページに戻る