特許

J-GLOBAL ID：200903027231437240

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 川井 健治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100749
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は層間絶縁膜を貫通するコンタクトを備える半導体装置の製造方法に関し、配線抵抗の小さな多層配線構造を形成することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板10上に形成された層間酸化膜18を、CF系ガスのプラズマを用いてエッチングすることによりコンタクトホール20,22を形成する(図1(A))。CF4とO2の混合ガスのプラズマを用いて、コンタクトホール20,22の底部に堆積する有機層30を除去するクリーニングエッチングを行う。有機層30が除去された後にコンタクトホール20,22の内部に導電性のコンタクトを形成する(図1(B))。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上および配線上に形成された層間酸化膜にコンタクトホールを備える半導体装置の製造方法であって、CF系ガスのプラズマを用いて層間酸化膜をエッチングすることにより前記コンタクトホールを形成する工程と、CF4、Cl2、CHF3、SF6およびNF3よりなる群から選ばれたガスを含むハロゲン系ガスと、O2、N2O、CO2、O3、H2O2およびH2Oからなる群から選ばれたガスを含む酸素含有ガスとを含むクリーニングガスのプラズマを用いて、コンタクトホールの底部に堆積する有機層を除去する工程と、前記有機層が除去された後に前記コンタクトホールの内部に導電性のコンタクトを形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 A

Fターム (41件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD22 ,  4M104FF14 ,  4M104HH15 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB03 ,  5F004DB15 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033AA13 ,  5F033AA25 ,  5F033AA29 ,  5F033BA02 ,  5F033BA24 ,  5F033BA33 ,  5F033BA37 ,  5F033BA46 ,  5F033DA07 ,  5F033DA09 ,  5F033DA32 ,  5F033DA33 ,  5F033DA39