特許
J-GLOBAL ID:200903027232006006
HTC超伝導性導体のテクスチャー化方法及びかかる方法によって製造される導体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川口 義雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-165707
公開番号(公開出願番号):特開平11-086654
出願日: 1998年06月12日
公開日(公表日): 1999年03月30日
要約:
【要約】【課題】 フィラメント相互間の横断性インサートの形成を抑制する。【解決手段】 導体を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度よりも低温の冷却終端温度まで急冷して(12)、そこから超伝導材料の合成温度まで上昇させる(13)。
請求項(抜粋):
銀ベースのマトリックス(2)と超伝導材料(3)(Bi1-xPbx)2Sr2CayCu1+yO6+2y〔但し、x∈〔0;0.4〕、y∈{0、1、2}〕とから成るHTc超伝導性導体のテクスチャー化方法であって、導体の温度を室温から超伝導材料の溶融温度まで上昇させる段階(10)と、導体を超伝導材料の溶融温度に等しい一定温度で短時間維持する段階(11)と、導体の温度を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度まで変化させる段階(16)と、導体を超伝導材料の合成温度に等しい一定温度で長時間維持する段階(14)と、導体の温度を超伝導材料の合成温度から室温まで低下させる段階(15)とを含み、導体の温度を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度まで変化させる段階(16)が、導体を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度よりも低温の冷却終端温度まで急激に冷却する段階(12)と、導体の温度を冷却終端温度から超伝導材料の合成温度まで上昇させる段階(13)とから成ることを特徴とする方法。
IPC (4件):
H01B 13/00 565
, C01G 1/00
, C01G 29/00 ZAA
, H01B 12/10 ZAA
FI (4件):
H01B 13/00 565 D
, C01G 1/00 S
, C01G 29/00 ZAA
, H01B 12/10 ZAA
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